SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀技術(shù)參數(shù)
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低,他們的測量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要,本儀器采用四探針法原理來實(shí)現(xiàn)對不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn),對導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達(dá)10-5—106Ω。
SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀是由SB118/1型精密電壓電流源以及SB120/2四探針樣品平臺(tái)二臺(tái)儀器構(gòu)成。
l SB118型精密直流電壓電流源 (詳見該產(chǎn)品使用說明書)
直流電流源
a) 電流輸出范圍:1nA~200mA,輸出電壓不小于5V;
b) 量程:分五檔,20μA、200μA、2mA、20mA、200mA;
c) 電流輸出的基本wu差:0.03%RD±0.02%FS(20±2℃);其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
a) 電壓輸出范圍:5μV~50V,負(fù)載電流不小于10mA(20mV以上);
b) 量程:分五檔,20mV、200mV、2V、20V、50V,每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào);
c) 電壓輸出的基本wu差:0.05%RD±0.02%FS(20±2℃)。
數(shù)字電壓表(4?LED)利用電壓源部分“取樣"端可對被測電壓進(jìn)行測試
a) 測量量程 20mV,200mV,2V,20V,200V
b) 最高分辨力 可達(dá)1µV
c) 基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS (20±2oC)
l SB120/2四探針樣品平臺(tái)(詳見該產(chǎn)品使用說明書)
為被測薄膜樣品,利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率,提供了方便。
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